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high vacuum furnace (517)  Produttore online

Periodo di raffreddamento facile della fornace dello stampaggio ad iniezione del metallo di manutenzione ≤5h/≤6h/≤8h

Nome: fornace dello stampaggio ad iniezione del metallo

Impiegati lavoranti di massimo: ℃ 1550

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Fornace di sinterizzazione telecomandata del metallo con la piattaforma interna dell'imballaggio del termostato del metallo

Nome: Fornace di sinterizzazione del metallo

Specifiche: RDE-DYL-4545150, RDE-DYL-5518

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La potenza del forno della sinterizzazione del metallo di controllo automatico fornisce AC380V±10% 50HZ

Nome: Fornace di sinterizzazione del metallo

Vantaggio: affidabile, sostenibile, durevole

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Fornace di sinterizzazione su misura della prova MIM per il processo ferroso e di titanio di Debinding

Temperatura: 2100℃ massimo

Colore: In bianco e nero

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Fornace di sinterizzazione facile da usare di vuoto della ceramica per il carburo cementato

Uso: fornace di sinterizzazione

Garanzia: 1 anno

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Un buon prezzo. Forno di deposizione di vapore a vuoto ad alta temperatura con intervallo di temperatura massima di 1100 °C in linea Video

Forno di deposizione di vapore a vuoto ad alta temperatura con intervallo di temperatura massima di 1100 °C

Reattore: 2 pezzi

Temperatura massima:: 1100℃

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Un buon prezzo. Forno CVD con rivestimento TiC/TiN/TiCN/Al2O3 personalizzabile con temperatura di processo 700-1050C in linea Video

Forno CVD con rivestimento TiC/TiN/TiCN/Al2O3 personalizzabile con temperatura di processo 700-1050C

Temperatura di processo (°C): 700-1050

Tipi di rivestimento: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

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Un buon prezzo. Forno di rivestimento per deposizione chimica dei vapori per utensili di taglio del carburo di tungsteno/cementato in linea Video

Forno di rivestimento per deposizione chimica dei vapori per utensili di taglio del carburo di tungsteno/cementato

Temperatura di processo (°C): 700-1050

Precursori e gas di processo: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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Alto periodo di raffreddamento automatico della fornace di sinterizzazione MIM 300-420min/480min

Nome: Forno di sinterizzazione MIM

Colore: Bianco

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Un buon prezzo. 6MPA Forno di sinterizzazione a pressione di devaccatura per cermeti Non cermeti Precison Semiconduttore ceramico nitruro di silicio in linea Video

6MPA Forno di sinterizzazione a pressione di devaccatura per cermeti Non cermeti Precison Semiconduttore ceramico nitruro di silicio

Temperatura: 1550°C-2200°C

Max. carico di carica: 500 kg/1200 kg/1500 kg/2500 kg

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Forno per rivestimento CVD a carburo di silicio per sensibilità al grafite o per anello di incisione

Imballaggi particolari: casse in legno

Tempi di consegna: 5-6 mesi

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Un buon prezzo. Forno di crescita epitaxia 1500C CVD SIC per la crescita del carburo di silicio in 1000*1000*1500mm di spazio effettivo in linea Video

Forno di crescita epitaxia 1500C CVD SIC per la crescita del carburo di silicio in 1000*1000*1500mm di spazio effettivo

Spazio effettivo ((mm): 1000*1000*1500

Potenza di riscaldamento ((KVA): 300

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MT-CVD Forno per rivestimento HT-CVD con elevata qualità del rivestimento e reattore personalizzabile

Temperatura ricoprente: 200-1050℃

Sistema di raffreddamento: 2 insiemi delle trappole condensate raffreddate ad acqua ad alto rendimento

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Un buon prezzo. Forno di deposizione a vapore avanzato CVD/CVI per rivestimento a TiC TiN TiCN a-AL2O3 e K-AI2O3 a temperatura di processo 700-1050C in linea Video

Forno di deposizione a vapore avanzato CVD/CVI per rivestimento a TiC TiN TiCN a-AL2O3 e K-AI2O3 a temperatura di processo 700-1050C

Temperatura di processo (°C): 700-1050

Tipi di rivestimento: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

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Un buon prezzo. Forno di rivestimento per deposizione chimica dei vapori con precursori di TiCL4, AICL3 e gas di processo in linea Video

Forno di rivestimento per deposizione chimica dei vapori con precursori di TiCL4, AICL3 e gas di processo

Temperatura di processo (°C): 700-1050

Precursori e gas di processo: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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Un buon prezzo. Forno per rivestimento CVD in ceramica Honeycomb per temperatura di processo 700-1050C e neutralizzatore di gas non elettrico opzionale in linea Video

Forno per rivestimento CVD in ceramica Honeycomb per temperatura di processo 700-1050C e neutralizzatore di gas non elettrico opzionale

Temperatura di processo (°C): 700-1050

Precursori e gas di processo: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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