Max.temperatura di lavoro ((°C): 1300
Uniformità di temperatura ((°C): ≤ ± 7
Temperatura di processo (°C): 700-1050
Precursori e gas di processo: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S
Temperatura di processo (°C): 700-1050
Tipi di rivestimento: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3
Temperatura di processo (°C): 700-1050
Tipi di rivestimento: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3
Temperatura di processo (°C): 700-1050
Tipi di rivestimento: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3
Spazio effettivo ((mm): 1000*1000*1500
Potenza di riscaldamento ((KVA): 300
Spazio effettivo ((mm): 1000*1000*1500
Potenza di riscaldamento ((KVA): 300
Spazio effettivo ((mm): 1000*1000*1500
Potenza di riscaldamento ((KVA): 300
Zona di riscaldamento: 4 pezzi/5 pezzi
Temperatura massima:: 1100℃
Reattore: 2 pezzi
Temperatura massima:: 1100℃
Reattore: 2 pezzi
Temperatura massima:: 1100℃
Temperatura ricoprente: 200-1050℃
Sistema di raffreddamento: 2 insiemi delle trappole condensate raffreddate ad acqua ad alto rendimento
Sistema di raffreddamento: 2 insiemi delle trappole condensate raffreddate ad acqua ad alto rendimento
Temperatura ricoprente: 200-1050℃
Temperatura ricoprente: 200-1050℃
Sistema di raffreddamento: 2 insiemi delle trappole condensate raffreddate ad acqua ad alto rendimento
Tipo di rivestimento: CVD
Spessore del rivestimento: 5-20um
Camera di reazione: 2 PCS
Temperatura massima:: 1100℃
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