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Fornace di sinterizzazione facile da usare di vuoto della ceramica per il carburo cementato

Uso: fornace di sinterizzazione

Garanzia: 1 anno

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Forno di deposizione di vapore a vuoto ad alta temperatura con intervallo di temperatura massima di 1100 °C

Reattore: 2 pezzi

Temperatura massima:: 1100℃

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Forno CVD con rivestimento TiC/TiN/TiCN/Al2O3 personalizzabile con temperatura di processo 700-1050C

Temperatura di processo (°C): 700-1050

Tipi di rivestimento: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

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Forno di rivestimento per deposizione chimica dei vapori per utensili di taglio del carburo di tungsteno/cementato

Temperatura di processo (°C): 700-1050

Precursori e gas di processo: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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Alto periodo di raffreddamento automatico della fornace di sinterizzazione MIM 300-420min/480min

Nome: Forno di sinterizzazione MIM

Colore: Bianco

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6MPA Forno di sinterizzazione a pressione di devaccatura per cermeti Non cermeti Precison Semiconduttore ceramico nitruro di silicio

Temperatura: 1550°C-2200°C

Max. carico di carica: 500 kg/1200 kg/1500 kg/2500 kg

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Forno per rivestimento CVD a carburo di silicio per sensibilità al grafite o per anello di incisione

Imballaggi particolari: casse in legno

Tempi di consegna: 5-6 mesi

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MT-CVD Forno per rivestimento HT-CVD con elevata qualità del rivestimento e reattore personalizzabile

Temperatura ricoprente: 200-1050℃

Sistema di raffreddamento: 2 insiemi delle trappole condensate raffreddate ad acqua ad alto rendimento

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Forno di crescita epitaxia 1500C CVD SIC per la crescita del carburo di silicio in 100010001500mm di spazio effettivo

Spazio effettivo ((mm): 1000*1000*1500

Potenza di riscaldamento ((KVA): 300

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Forno di deposizione a vapore avanzato CVD/CVI per rivestimento a TiC TiN TiCN a-AL2O3 e K-AI2O3 a temperatura di processo 700-1050C

Temperatura di processo (°C): 700-1050

Tipi di rivestimento: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

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Forno di rivestimento per deposizione chimica dei vapori con precursori di TiCL4, AICL3 e gas di processo

Temperatura di processo (°C): 700-1050

Precursori e gas di processo: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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Forno per rivestimento CVD in ceramica Honeycomb per temperatura di processo 700-1050C e neutralizzatore di gas non elettrico opzionale

Temperatura di processo (°C): 700-1050

Precursori e gas di processo: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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Forno di depurazione industriale ad alta temperatura per materiali di grafite

Max.Temperatura di lavoro: 2400℃

Uniformità della temperatura: ≤±10℃

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Forno di alluminizzazione chimica a vapore 900-1050C personalizzabile con codificazione Hf Zr e Si

Temp.of deposition((℃): 900-1050

Process pressure(mbar): 100-300

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Il molibdeno ha reso a fornace di sinterizzazione del metallo lo spazio utilizzabile 4004001500/5005001800mm

Nome: Fornace di sinterizzazione del metallo

Spazio utilizzabile (millimetri): 400 × del × 400 1500/500 × 1800 del × 500

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Fornace speciale del HIP di sinterizzazione per i prodotti cementati del carburo, dell'acciaio inossidabile ceramico e

Carburo cementato: Utensile per il taglio, strumenti di estrazione mineraria, parti di usura, materiale della muffa

ceramico: Ceramica industriale, precisione ceramica, nitruro di silicio ceramico, allumina ceramica, biossido

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Fornace di alto vuoto

Accessori della fornace di sinterizzazione

Forno a carburo del silicio

Macchina di rivestimento di CVD

La fornace industriale intelligentemente azionata di vuoto con la pompa/radici della protezione scrive la pompa a macchina

PA estremo 0,8/1/1,5 di vuoto della fornace industriale minima di vuoto di periodo di raffreddamento 60-480

Forno di ricottura di vuoto del nitruro di silicio, fornace ad alta temperatura di vuoto della lega dura

Fornace di sinterizzazione personalizzabile dell'acciaio inossidabile/fornace orizzontale di vuoto

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Forno CVD con rivestimento TiC/TiN/TiCN/Al2O3 personalizzabile con temperatura di processo 700-1050C

Forno di rivestimento per deposizione chimica dei vapori per utensili di taglio del carburo di tungsteno/cementato

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