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vacuum furnace equipment (409)  Produttore online

Forno per rivestimento CVD in ceramica Honeycomb per temperatura di processo 700-1050C e neutralizzatore di gas non elettrico opzionale

Temperatura di processo (°C): 700-1050

Precursori e gas di processo: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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Forno di depurazione industriale ad alta temperatura per materiali di grafite

Max.Temperatura di lavoro: 2400℃

Uniformità della temperatura: ≤±10℃

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Forno di alluminizzazione chimica a vapore 900-1050C personalizzabile con codificazione Hf Zr e Si

Temp.of deposition((℃): 900-1050

Process pressure(mbar): 100-300

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Pressione di esercizio massima orizzontale della fornace di sinterizzazione di pressione del gas di progettazione 60 Antivari

Nome: Fornace di sinterizzazione di pressione del gas

Pressione di esercizio massima (barra): 60

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Alto periodo di raffreddamento automatico della fornace di sinterizzazione MIM 300-420min/480min

Nome: Forno di sinterizzazione MIM

Colore: Bianco

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Fornace di sinterizzazione affidabile di pressione del gas con i sistemi su misura

Uso: Fornace di trattamento termico, fornace di sinterizzazione, ricottura del metallo

Peso: 2~20T

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Un buon prezzo. RDE Macchina di rivestimento con carburo di silicio Forno di deposizione chimica a vapore CVD in linea Video

RDE Macchina di rivestimento con carburo di silicio Forno di deposizione chimica a vapore CVD

Spazio effettivo ((mm): 1000*1000*1500

Potenza di riscaldamento ((KVA): 300

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Un buon prezzo. Cina CVD Furnace Manufactures, Macchina per rivestimento di carburo di silicio in linea Video

Cina CVD Furnace Manufactures, Macchina per rivestimento di carburo di silicio

Spazio effettivo ((mm): 1000*1000*1500

Potenza di riscaldamento ((KVA): 300

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Un buon prezzo. HTCVD Forno di crescita epitaxi di carburo di silicio CVD SIC Zone di controllo di temperatura multiple in linea Video

HTCVD Forno di crescita epitaxi di carburo di silicio CVD SIC Zone di controllo di temperatura multiple

Spazio effettivo ((mm): 1000*1000*1500

Potenza di riscaldamento ((KVA): 300

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Forno di rivestimento CVD a rotella di sigillamento con precursori di CO e distributore di gas di secondo stadio

Temperatura di processo (°C): 700-1050

Precursori e gas di processo: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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Forno di sinterizzazione per ricristallizzazione del carburo di silicio ad alta temperatura Max. 2400C 3Pa/h Tasso di aumento della pressione

Temperatura massima di lavoro: 2400℃

Uniformità della temperatura: ≤±5℃

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Il professionista sinterizza automaticamente la fornace del HIP con il sistema di Debinding di pressione negativa

Nome: Fornace dell'anca di sinterizzazione

Applicazioni:: Carburo cementato, precisione ceramica, acciaio inossidabile, ferro-bae alloy.ect

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Fornace orizzontale del molibdeno della doppia porta, ≤ ad alta temperatura 6/8h di tempo di raffreddamento della fornace

Nome: Fornace del molibdeno

Impiegati. variazione: ≤ ±5°C

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Zona di modo 2 del controllo della temperatura della fornace di sinterizzazione della struttura compatta MIM

Nome: Forno di sinterizzazione MIM

Modo di misura di temperatura:: Termocoppia WRe5-26

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Fornace di sinterizzazione facile da usare di vuoto per la sinterizzazione del carburo cementato, ceramica

Uso: Fornace di sinterizzazione

Garanzia: 1 anno

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AICL3 Precursori Forno di deposizione chimica a vapore per utensili da taglio a temperatura di processo 700-1050 °C

Process temperature((℃): 700-1050

Precursors and process gases: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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