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Precision 1800C Silicon Carbide Reaction Sintering Furnace with ≤±5C Temperature Uniformity

Max.Temperatura di lavoro: 1800 ℃

Uniformità della temperatura: ≤ ± 5 ℃

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Forno per rivestimento CVD a carburo di silicio per sensibilità al grafite o per anello di incisione

Imballaggi particolari: casse in legno

Tempi di consegna: 5-6 mesi

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Cina CVD Furnace Manufactures, Macchina per rivestimento di carburo di silicio

Spazio effettivo ((mm): 1000*1000*1500

Potenza di riscaldamento ((KVA): 300

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Forno di depurazione industriale ad alta temperatura per materiali di grafite

Max.Temperatura di lavoro: 2400℃

Uniformità della temperatura: ≤±10℃

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Forno di brasatura ad altissimo vuoto e ad alta temperatura per acciaio o rame a 800-1300°C

Max.temperatura di lavoro ((°C): 1300

Temperature uniformity(℃）: ≤±3

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Fornace ad alta temperatura di vuoto di controllo dello SpA di 320KVA Siemens

struttura: singola camera, tipo horizental

Dimensione: Su misura

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RDE Macchina di rivestimento con carburo di silicio Forno di deposizione chimica a vapore CVD

Spazio effettivo ((mm): 1000*1000*1500

Potenza di riscaldamento ((KVA): 300

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HTCVD Forno di crescita epitaxi di carburo di silicio CVD SIC Zone di controllo di temperatura multiple

Spazio effettivo ((mm): 1000*1000*1500

Potenza di riscaldamento ((KVA): 300

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Forno di sinterizzazione ceramica al nitruro di silicio a 60 bar Pressione e spazio di lavoro personalizzabile

Spazio di lavoro: 400*400*1200mm, oppure personalizzati in base alle esigenze del cliente

Pressione di lavoro: 60 Antivari

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Forno di rivestimento per deposizione chimica dei vapori per utensili di taglio del carburo di tungsteno/cementato

Temperatura di processo (°C): 700-1050

Precursori e gas di processo: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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Forno di rivestimento CVD a rotella di sigillamento con precursori di CO e distributore di gas di secondo stadio

Temperatura di processo (°C): 700-1050

Precursori e gas di processo: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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Forno per rivestimento CVD in ceramica Honeycomb per temperatura di processo 700-1050C e neutralizzatore di gas non elettrico opzionale

Temperatura di processo (°C): 700-1050

Precursori e gas di processo: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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1200-2500°C Temperatura di progettazione Forno a vuoto ad alta temperatura con foro di osservazione

Dimensione della camera: Personalizzabile ((200*200*400/400*400*1200/500*500*1800mm)

Il vuoto finale: 3,67*10-3 Pa

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Dimensione e configurazione su misura fornace su misura di trattamento termico di vuoto

Dimensione: Dimensione su misura

Struttura: singola camera, tipo horizental

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Fornace di sinterizzazione di vuoto del metallo 280KVA con la struttura di riscaldamento periodica

materiale dell'elemento riscaldante: Lega del molibdeno-lantanio

Struttura: struttura orizzontale della due-porta

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Fornace 10 Antivari 60bar 100bar dell'anca di sinterizzazione di deparaffinazione pressione positiva/negativa

Garanzia: 1 anno

Peso: 2T-35T

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fornace dell'anca di sinterizzazione

Fornace di sinterizzazione di pressione del gas

Fornace di sinterizzazione di vuoto

MIM fornace di sinterizzazione

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Fornace ad alta temperatura di vuoto

Fornace di trattamento termico di vuoto

fornace di sinterizzazione ceramica

Fornace di alto vuoto

Accessori della fornace di sinterizzazione

Forno a carburo del silicio

Macchina di rivestimento di CVD

20 / tasso di raffreddamento di scorrimento dell'acqua della fornace del HIP di sinterizzazione del peso di 24/34 tonnellate 600 l/min

Fornace di sinterizzazione ceramica della fornace di sinterizzazione dello stampaggio ad iniezione della polvere di metallo/metallo di vuoto

Fornace di sinterizzazione del metallo di pressione di vuoto per ricerca del carburo cementato

Fornace trattata della grafite di sinterizzazione con la gamma di temperature di riscaldamento di zone 1-4 0-1700℃

Precision 1800C Silicon Carbide Reaction Sintering Furnace with ≤±5C Temperature Uniformity

Forno per rivestimento CVD a carburo di silicio per sensibilità al grafite o per anello di incisione

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