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high vacuum furnace (462)  Produttore online

Forno di deposizione a vapore avanzato CVD/CVI per rivestimento a TiC TiN TiCN a-AL2O3 e K-AI2O3 a temperatura di processo 700-1050C

Temperatura di processo (°C): 700-1050

Tipi di rivestimento: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

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Forno di rivestimento per deposizione chimica dei vapori con precursori di TiCL4, AICL3 e gas di processo

Temperatura di processo (°C): 700-1050

Precursori e gas di processo: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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Forno di depurazione industriale ad alta temperatura per materiali di grafite

Max.Temperatura di lavoro: 2400℃

Uniformità della temperatura: ≤±10℃

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Forno di alluminizzazione chimica a vapore 900-1050C personalizzabile con codificazione Hf Zr e Si

Temp.of deposition((℃): 900-1050

Process pressure(mbar): 100-300

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Il molibdeno ha reso a fornace di sinterizzazione del metallo lo spazio utilizzabile 400*400*1500/500*500*1800mm

Nome: Fornace di sinterizzazione del metallo

Spazio utilizzabile (millimetri): 400 × del × 400 1500/500 × 1800 del × 500

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Fornace speciale del HIP di sinterizzazione per i prodotti cementati del carburo, dell'acciaio inossidabile ceramico e

Carburo cementato: Utensile per il taglio, strumenti di estrazione mineraria, parti di usura, materiale della muffa

ceramico: Ceramica industriale, precisione ceramica, nitruro di silicio ceramico, allumina ceramica, biossido

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Funzione integrata di deparaffinazione e di MIM Sintering Furnace With Sintering

Tipo: MIM Parts, fornace di sinterizzazione

Uso: Fornace di sinterizzazione, fornace di trattamento termico

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Un buon prezzo. RDE Macchina di rivestimento con carburo di silicio Forno di deposizione chimica a vapore CVD in linea Video

RDE Macchina di rivestimento con carburo di silicio Forno di deposizione chimica a vapore CVD

Spazio effettivo ((mm): 1000*1000*1500

Potenza di riscaldamento ((KVA): 300

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Un buon prezzo. Cina CVD Furnace Manufactures, Macchina per rivestimento di carburo di silicio in linea Video

Cina CVD Furnace Manufactures, Macchina per rivestimento di carburo di silicio

Spazio effettivo ((mm): 1000*1000*1500

Potenza di riscaldamento ((KVA): 300

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Un buon prezzo. HTCVD Forno di crescita epitaxi di carburo di silicio CVD SIC Zone di controllo di temperatura multiple in linea Video

HTCVD Forno di crescita epitaxi di carburo di silicio CVD SIC Zone di controllo di temperatura multiple

Spazio effettivo ((mm): 1000*1000*1500

Potenza di riscaldamento ((KVA): 300

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Forno di sinterizzazione per ricristallizzazione del carburo di silicio ad alta temperatura Max. 2400C 3Pa/h Tasso di aumento della pressione

Temperatura massima di lavoro: 2400℃

Uniformità della temperatura: ≤±5℃

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Modo di controllo temporaneo di manutenzione di sinterizzazione di zona ad alta temperatura facile della fornace 3

Nome: fornace di sinterizzazione ad alta temperatura

Modo di Temp.Control: 3 zona Temp.control

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Forno di rivestimento CVD a rotella di sigillamento con precursori di CO e distributore di gas di secondo stadio

Temperatura di processo (°C): 700-1050

Precursori e gas di processo: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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AICL3 Precursori Forno di deposizione chimica a vapore per utensili da taglio a temperatura di processo 700-1050 °C

Process temperature((℃): 700-1050

Precursors and process gases: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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Quantità materiale proteggente 32/42 pc della fornace di sinterizzazione dell'ambiente MIM

Nome: Forno di sinterizzazione MIM

Temperatura di lavoro massima: 1550°C

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Forno a temperatura con livello di pressione 1MPa/6MPa/10MPa e prestazioni a temperatura

Operating Time: 300 Furnace/time

Dimension Of Furnace: 4500x5400x3500mm

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