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Fornace di pressione di vuoto di temperatura massima 1600℃, tasso 98% della raccolta della cera della fornace del HIP di sinterizzazione

Nome: fornace di pressione di vuoto

tasso della Cera-raccolta: 98%

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Fornace di sinterizzazione facile da usare di vuoto della ceramica per il carburo cementato

Uso: fornace di sinterizzazione

Garanzia: 1 anno

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Forno di deposizione di vapore a vuoto ad alta temperatura con intervallo di temperatura massima di 1100 °C

Reattore: 2 pezzi

Temperatura massima:: 1100℃

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SIC carburo di silicio forno di trattamento termico ad alta temperatura per sinterizzazione a vuoto in atmosfera protettiva

Colore della vernice: Grigio, blu, bianco, nero.

Durata di vita della conchiglia del forno: 20 anni

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Forno di crescita epitaxia 1500C CVD SIC per la crescita del carburo di silicio in 100010001500mm di spazio effettivo

Spazio effettivo ((mm): 1000*1000*1500

Potenza di riscaldamento ((KVA): 300

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Forno di deposizione a vapore avanzato CVD/CVI per rivestimento a TiC TiN TiCN a-AL2O3 e K-AI2O3 a temperatura di processo 700-1050C

Temperatura di processo (°C): 700-1050

Tipi di rivestimento: TiC、TiN、TiCN、a-AL2O3、K-AI2O3

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Forno di rivestimento per deposizione chimica dei vapori con precursori di TiCL4, AICL3 e gas di processo

Temperatura di processo (°C): 700-1050

Precursori e gas di processo: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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Forno per rivestimento CVD in ceramica Honeycomb per temperatura di processo 700-1050C e neutralizzatore di gas non elettrico opzionale

Temperatura di processo (°C): 700-1050

Precursori e gas di processo: TiCL4,AICL3,CH3CN,H2,N2,Ar,CH,CO,CO2,HCI,H2S

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Forno di depurazione industriale ad alta temperatura per materiali di grafite

Max.Temperatura di lavoro: 2400℃

Uniformità della temperatura: ≤±10℃

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Forno di sinterizzazione a gas a pressione per ceramiche speciali con temperatura massima 2000 °C

Agente di formazione: Paraffina, PEG, gomma, C12H22O5n ecc.

Misura di temperatura: W-Re 5/26 Termocoppia+pirometro a infrarossi

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Inceri la fornace del HIP di sinterizzazione del tasso 98% della raccolta per acciaio inossidabile/precisione ceramici

Nome: Fornace dell'anca di sinterizzazione

Tasso di perdita di vuoto: 1Pa/h, 2Pa/h, 3Pa/h

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Fornace di sinterizzazione del metallo di rendimento elevato con la funzione di deparaffinazione deparaffinazione/H2 di vuoto

Nome: Fornace di sinterizzazione del metallo

Efficace spazio: Su misura

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Pressione di esercizio massima orizzontale della fornace di sinterizzazione di pressione del gas di progettazione 60 Antivari

Nome: Fornace di sinterizzazione di pressione del gas

Pressione di esercizio massima (barra): 60

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≤ industriale su misura ±5°C di variazione di temperatura della fornace di sinterizzazione di progettazione

Nome: Fornace di sinterizzazione industriale

carburo cementato dopo la sinterizzazione: Porosità: A00-A02

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Alto periodo di raffreddamento automatico della fornace di sinterizzazione MIM 300-420min/480min

Nome: Forno di sinterizzazione MIM

Colore: Bianco

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Fornace ad alta temperatura 6/8h, ≤ temporaneo trattato ±5°C del ≤ di tempo di raffreddamento di variazione della fornace di sinterizzazione

Nome: Fornace di sinterizzazione del metallo

Imballaggi particolari: Imballaggio di legno speciale di caso

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Fornace di trattamento termico di vuoto

fornace di sinterizzazione ceramica

Fornace di alto vuoto

Accessori della fornace di sinterizzazione

Forno a carburo del silicio

Macchina di rivestimento di CVD

Fornace di vuoto di grande capacità per le specifiche RDE-GWL-5518 di trattamento termico

Fornace industriale orizzontale di vuoto con gli elementi riscaldanti cilindrici della struttura

Fornace industriale durevole di vuoto con il modo di misura di temperatura della termocoppia WRe5-26

Tasso orizzontale automatizzato 1/2/3Pa/H di perdita di vuoto della fornace di vuoto di controllo

Fornace di pressione di vuoto di temperatura massima 1600℃, tasso 98% della raccolta della cera della fornace del HIP di sinterizzazione

Fornace di sinterizzazione facile da usare di vuoto della ceramica per il carburo cementato

Forno di deposizione di vapore a vuoto ad alta temperatura con intervallo di temperatura massima di 1100 °C

SIC carburo di silicio forno di trattamento termico ad alta temperatura per sinterizzazione a vuoto in atmosfera protettiva

Forno di crescita epitaxia 1500C CVD SIC per la crescita del carburo di silicio in 100010001500mm di spazio effettivo

Forno di deposizione a vapore avanzato CVD/CVI per rivestimento a TiC TiN TiCN a-AL2O3 e K-AI2O3 a temperatura di processo 700-1050C

Forno di rivestimento per deposizione chimica dei vapori con precursori di TiCL4, AICL3 e gas di processo

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Fornace ad alta temperatura 6/8h, ≤ temporaneo trattato ±5°C del ≤ di tempo di raffreddamento di variazione della fornace di sinterizzazione