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Forno di crescita epitaxia 1500C CVD SIC per la crescita del carburo di silicio in 100010001500mm di spazio effettivo

Spazio effettivo ((mm): 1000*1000*1500

Potenza di riscaldamento ((KVA): 300

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Doppia fornace di sinterizzazione di vuoto del sistema di controllo, macchina di sinterizzazione del metallo di 6MPa HIP

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Fornace di sinterizzazione del carburo cementato con la linea di produzione complementare

Forno di crescita epitaxia 1500C CVD SIC per la crescita del carburo di silicio in 100010001500mm di spazio effettivo

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