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Sebbene entrambi siano definiti "deposizione", PCD e CVD differiscono notevolmente nelle loro funzioni.

2026-09-21

Ragioni principali:

Il PVD rimuove principalmente i materiali sorgente con mezzi fisici e li trasporta sul wafer.
Il CVD consente ai precursori gassosi di subire continuamente reazioni chimiche sulla superficie.

Quando si seleziona un processo, le vere domande da considerare sono come il materiale arriva sulla superficie, dove si forma il film e quale meccanismo interrompe la crescita.

Processi:

PVD: Estrae materiali dalla sorgente solida per prima. PVD è il termine generale per Physical Vapor Deposition (Deposizione Fisica da Vapore).L'evaporazione utilizza sorgenti di calore o fasci di elettroni per vaporizzare i materiali; lo sputtering impiega ioni di plasma per bombardare il bersaglio e rimuovere atomi dal bersaglio. Le specie che formano il film vengono trasportate nel vuoto e infine si condensano sulla superficie del wafer.
CVD: I gas reagiscono continuamente per formare film dopo aver raggiunto la superficie. CVD sta per Chemical Vapor Deposition (Deposizione Chimica da Vapore).I precursori viaggiano con il flusso di gas nelle vicinanze del wafer, attraversano lo strato limite, quindi si adsorbono, decompongono o reagiscono sulla superficie. I solidi si depositano sul wafer, mentre i sottoprodotti volatili vengono scaricati.

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