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Innovazione e applicazione della tecnologia di preparazione del rivestimento TaC

2025-08-25

La grafite rivestita con TaC mostra una resistenza superiore alla corrosione chimica rispetto alla grafite pura e può operare stabilmente a temperature fino a 2600°C. È il rivestimento con le prestazioni più elevate per la crescita di monocristalli di semiconduttori di terza generazione e la crescita epitassiale di wafer. I rivestimenti in TaC risolvono i difetti dei bordi dei cristalli e migliorano la qualità della crescita dei cristalli, rendendola una delle tecnologie fondamentali per ottenere una crescita "veloce, spessa e grande".

Attualmente, la deposizione chimica da vapore (CVD) è il metodo più comune per la preparazione di rivestimenti in TaC per applicazioni nel settore dei semiconduttori. Recentemente, l'Istituto tedesco per i semiconduttori e l'Organizzazione giapponese per la ricerca e l'industrializzazione del TaC hanno dimostrato significativi vantaggi rispetto ai rivestimenti in TaC CVD nella crescita di monocristalli di GaN e nella crescita PVT di monocristalli di SiC.

La tecnologia di rivestimento TaC multifase sviluppata in modo indipendente dalla Cina, pur soddisfacendo le specifiche tecniche, può ridurre significativamente il costo dei rivestimenti in TaC rispetto ai metodi CVD. Offre inoltre vantaggi quali elevata forza di adesione, bassa sollecitazione termica, eccellente tenuta e stabilità alle alte temperature.

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