2026-10-09
Il nitruro di alluminio (AlN) è un cristallo dominato da legami covalenti, un nitruro esagonale simile al diamante. Presenta un bandgap ultra-largo (6,2 eV) e un'energia di legame dell'eccitone estremamente elevata, classificandolo come un semiconduttore a bandgap diretto. La sua struttura cristallina assomiglia a quella del BeO e del SiC. Grazie alla natura altamente direzionale dei suoi legami covalenti, l'AlN offre eccezionali proprietà fisiche e chimiche, come un'elevata conducibilità termica.
La deposizione chimica da fase vapore (CVD) è una via efficace per produrre polvere di AlN con dimensione delle particelle uniforme, elevata purezza e grande area superficiale specifica. Composti volatili di alluminio (alogenuri di alluminio o alchilalluminio) e ammoniaca (NH₃) vengono introdotti nella camera di reazione per reagire. Durante la reazione, l'NH₃ si decompone per fornire atomi di azoto attivi e la polvere di AlN si forma tramite deposizione in fase gassosa.
I vantaggi di questo metodo includono elevata purezza del prodotto e dimensione fine delle particelle. I suoi svantaggi sono l'alto costo di produzione, i rigorosi requisiti delle attrezzature e la bassa produttività. Ciononostante, l'alchilalluminio è costoso e richiede uno stoccaggio e un trasporto speciali sotto protezione di gas inerte. Di conseguenza, questo processo rimane principalmente nella fase di ricerca di laboratorio e non ha ancora raggiunto l'industrializzazione su larga scala.
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